[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202310614487.1 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116344593B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;陈钱;陈银 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底、功能层和器件层，半导体上设置有N型漂移区，N型漂移区漂移区内设置有两个间隔设置的P型埋层；功能层设置于N型漂移区上，功能层包括N型电流拓展区和两个设置于N型电流拓展区两侧的P型基区，P型基区内设置有相互连接的P+欧姆接触区和N型源区，N型电流拓展区内设置有多晶硅沟槽，多晶硅沟槽的底部设置有两个间隔设置的第一P+埋层、多晶硅沟槽的两侧设置有第二P+埋层；器件层包括栅极结构和第一金属层，栅极结构设置于功能层上，第一金属层覆盖于栅极结构和功能层上，第一金属层分别与P+欧姆接触区、N型源区及多晶硅沟槽连接。本方案可以提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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