[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202310614487.1 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116344593B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;陈钱;陈银 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括
半导体衬底，所述半导体上设置有N型漂移区，所述N型漂移区内设置有两个间隔设置的P型埋层；
功能层，所述功能层设置于所述N型漂移区上，所述功能层包括N型电流拓展区和两个设置于所述N型电流拓展区两侧的P型基区，所述P型基区内设置有相互连接的P+欧姆接触区和N型源区，所述N型电流拓展区内设置有多晶硅沟槽，所述多晶硅沟槽的底部设置有两个间隔设置的第一P+埋层、所述多晶硅沟槽的两侧设置有第二P+埋层，位于同一侧的所述第一P+埋层与所述第二P+埋层相接触，以使位于同一侧的所述第一P+埋层和所述第二P+埋层呈阶梯状设置，所述P型埋层与所述功能层相接触，所述P型埋层一侧边在所述功能层上的正投影位于所述P型基区上，或与所述P型基区和所述N型电流拓展区的交界平齐，所述P型埋层的另一侧边在所述功能层上的正投影位于所述N型电流拓展区内；
器件层，所述器件层包括栅极结构和第一金属层，所述栅极结构设置于所述功能层上，所述第一金属层覆盖于所述栅极结构和所述功能层上，所述第一金属层分别与所述P+欧姆接触区、N型源区及所述多晶硅沟槽连接，所述第一P+埋层靠近所述P型基区的侧边在所述器件层上的正投影位于第二P+埋层在所述器件层上的正投影内。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型埋层另一侧边在所述器件层上的正投影位于所述第一P+埋层在所述器件层上的正投影和所述第二P+埋层在所述器件层上的正投影之间。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述半导体衬底背向N型漂移区的一侧。
4.如权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的材料为碳化硅。
5.如权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，两个所述第一P+埋层之间的间距为0.5um~4um。
6.如权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，两个所述P型埋层之间的间距为0.5um~4um。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，权利要求1至6任一项所述半导体器件由所述半导体器件的制造方法制成，所述半导体器件的制造方法包括：
提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成N型漂移区，所述N型漂移区内设置有两个间隔设置的P型埋层；
在所述漂移区上形成功能层，所述功能层包括N型电流拓展区和两个设置于所述N型电流拓展区两侧的P型基区，所述P型基区内设置有相互连接的P+欧姆接触区和N型源区，所述N型电流拓展区内设置有多晶硅沟槽，所述多晶硅沟槽的底部设置有两个间隔设置的第一P+埋层、所述多晶硅沟槽的两侧设置有第二P+埋层，位于同一侧的所述第一P+埋层与所述第二P+埋层相接触，以使位于同一侧的所述第一P+埋层和所述第二P+埋层呈阶梯状设置，所述P型埋层与所述功能层相接触，所述P型埋层一侧边在所述功能层上的正投影位于所述P型基区上，或与所述P型基区和所述N型电流拓展区的交界平齐，所述P型埋层的另一侧边在所述功能层上的正投影位于所述N型电流拓展区内；
在所述功能层上形成器件层，所述栅极结构设置于所述功能层上，所述第一金属层覆盖于所述栅极结构和所述功能层上，所述第一金属层分别与所述P+欧姆接触区、N型源区及所述多晶硅沟槽连接，所述第一P+埋层靠近所述P型基区的侧边在所述器件层上的正投影位于第二P+埋层在所述器件层上的正投影内。
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