[发明专利]太阳能电池欧姆接触优化方法和优化设备在审
| 申请号: | 202310598404.4 | 申请日: | 2023-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN116666492A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 林佳继;董雪迪;刘群;李勃 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 214194 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池欧姆接触优化方法及优化设备。该太阳能电池欧姆接触优化方法包括对电池片施加反向偏置电压,并向电池片的第一表面投射整形光斑,整形光斑的长度方向与电池片上的细栅线的延伸方向成角度设置,整形光斑沿细栅线的延伸方向扫掠,且照射于至少两条细栅线的局部。通过上述太阳能电池欧姆接触优化方法,避免了较大面积的分区经由一条细栅线的连接同时处于电流作用之下,出现相互分流、热传递的现象,既能够使得多条甚至全部细栅线得以同时处理而大大提高优化效率,且不产生相互干扰,确保了激光优化接触电阻的有效性,对优化效果的把控更精确。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 欧姆 接触 优化 方法 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





