[发明专利]太阳能电池欧姆接触优化方法和优化设备在审
| 申请号: | 202310598404.4 | 申请日: | 2023-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN116666492A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 林佳继;董雪迪;刘群;李勃 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 214194 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 欧姆 接触 优化 方法 设备 | ||
本发明公开了一种太阳能电池欧姆接触优化方法及优化设备。该太阳能电池欧姆接触优化方法包括对电池片施加反向偏置电压,并向电池片的第一表面投射整形光斑,整形光斑的长度方向与电池片上的细栅线的延伸方向成角度设置,整形光斑沿细栅线的延伸方向扫掠,且照射于至少两条细栅线的局部。通过上述太阳能电池欧姆接触优化方法,避免了较大面积的分区经由一条细栅线的连接同时处于电流作用之下,出现相互分流、热传递的现象,既能够使得多条甚至全部细栅线得以同时处理而大大提高优化效率,且不产生相互干扰,确保了激光优化接触电阻的有效性,对优化效果的把控更精确。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种太阳能电池欧姆接触优化方法和优化设备。
背景技术
太阳能电池包括晶硅电池片以及栅线,栅线由金属材质制成,间隔设置于晶硅电池片中。在高效晶硅太阳能电池的制备中,降低欧姆接触的接触电阻是提升转换效率的重要一环。常规的晶硅太阳能电池电极的形成有赖于金属浆料的敷设以及后道的烧结工艺,有效的金属-半导体接触的形成需要较高的烧结温度。高烧结温度一方面使得光伏电池填充因子(FF)提升,但另一方面导致金属诱导复合的增加,限制了光伏电池转换效率的提升。
现有技术中已有改善晶硅太阳能电池金属接触与发射极之间欧姆接触的方法,德国Cell Engineering GmbH提出了一种LECO(Laser-enhanced contact optimization,激光增强接触优化)工艺,该方案以点光源照射电池片正面形成局部感应电流,并施加反向偏置电压分离自由载流子,形成高反向电流,最终通过引导点光源扫掠整片电池实现金属与发射极之间欧姆接触的改善。
降低金属-半导体接触电阻,是制备高效晶硅太阳能电池需要攻克的难关。传统金属化方案通过敷设金属浆料并进行后道烧结的方式实现,升高烧结温度在提升光伏电池填充因子(FF)的同时也导致金属诱导复合增大、开路电压(Voc)减小,限制了光伏电池转换效率的提升。LECO可以作为后处理方式降低电池烧结温度,解耦FF、Voc,实现光伏电池转换效率的提升,但其点光源扫描的方式限制了处理效率,扫描M2尺寸电池单片用时1.6s,不利于工业大规模生产中产能的提升。
现有技术通过平行于副栅线方向的激光光斑沿主栅线方向进行扫描,以防止电池被击穿,但该方案的光斑使得较大面积的分区经由副栅线的连接同时处于电流作用之下,存在相互分流、热传递的影响,处理效果相对难以把控,且增加LECO工序后大幅度延长了电池片的生产周期,降低了生产效率,进一步降低了产能上限。
因此,亟需一种太阳能电池欧姆接触优化方法和优化设备,能够解决上述问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提出一种太阳能电池欧姆接触优化方法,能够避免使得较大面积的分区经由副栅线的连接同时处于电流作用之下,出现相互分流、热传递的影响,从而实现更易把控的优化效果,且有效提升优化效率。
为实现上述技术效果,本发明的技术方案如下:
太阳能电池欧姆接触优化方法,包括:
对电池片施加反向偏置电压,并向所述电池片的第一表面投射整形光斑,所述整形光斑的长度方向与所述电池片上的细栅线的延伸方向成角度设置;所述整形光斑沿所述细栅线的延伸方向扫掠所述电池片,且照射于至少两条所述细栅线的局部。
可选地,对所述电池片施加反向偏置电压包括:
在所述电池片的第一表面的主栅线的端部以点接触的连接方式赋予第一电势,并对所述电池片的第二表面赋予第二电势。
可选地,还包括:
所述整形光斑包括多个圆形光斑,多个所述圆形光斑沿所述整形光斑的长度方向排布成至少一排,且每排中的相邻所述圆形光斑的间距与相邻所述细栅线的间距相等;
或者,所述整形光斑包括线性光斑,所述线性光斑照射于若干所述细栅线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





