[发明专利]太阳能电池欧姆接触优化方法和优化设备在审
| 申请号: | 202310598404.4 | 申请日: | 2023-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN116666492A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 林佳继;董雪迪;刘群;李勃 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 214194 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 欧姆 接触 优化 方法 设备 | ||
1.太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,包括:
对电池片(1)施加反向偏置电压,并向所述电池片(1)的第一表面投射整形光斑(40),所述整形光斑(40)的长度方向与所述电池片(1)上的细栅线(102)的延伸方向成角度设置;所述整形光斑(40)沿所述细栅线(102)的延伸方向扫掠所述电池片(1),且照射于至少两条所述细栅线(102)的局部。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,
对所述电池片(1)施加反向偏置电压包括:
在所述电池片(1)的第一表面的主栅线(101)的端部以点接触的连接方式赋予第一电势,并对所述电池片(1)的第二表面赋予第二电势。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,还包括:
所述整形光斑(40)包括多个圆形光斑(401),多个所述圆形光斑(401)沿所述整形光斑(40)的长度方向排布成至少一排,且每排中的相邻所述圆形光斑(401)的间距与相邻所述细栅线(102)的间距相等;
或者,所述整形光斑(40)包括线性光斑,所述线性光斑照射于若干所述细栅线(102)。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,
沿所述整形光斑(40)的长度方向,所述整形光斑(40)的光功率分布一致。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,
所述整形光斑(40)的长度方向垂直于所述细栅线(102)的延伸方向;
或者,所述整形光斑(40)的长度方向与所述细栅线(102)的延伸方向呈锐角设置。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,
所述整形光斑(40)照射于所有所述细栅线(102)的局部,且沿所述细栅线(102)的延伸方向进行一次扫掠;
或者,所述整形光斑(40)照射于部分所述细栅线(102),且沿所述细栅线(102)的延伸方向进行至少两次扫掠。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,其特征在于,
沿所述细栅线(102)的延伸方向,所述细栅线(102)上被所述整形光斑(40)照射的长度小于或等于200μm。
8.太阳能电池欧姆接触优化设备,其特征在于,用于执行权利要求1-7中任一项所述的太阳能电池欧姆接触优化方法,所述太阳能电池欧姆接触优化设备包括承载装置(3)和激光装置(2),所述承载装置(3)用于承载电池片(1)并对所述电池片(1)施加反向偏置电压,所述激光装置(2)用于向所述电池片(1)的第一表面投射整形光斑(40),且所述整形光斑(40)能够沿所述电池片(1)的细栅线(102)的延伸方向移动。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池欧姆接触优化设备,其特征在于,
所述承载装置(3)包括承载组件和加压组件,所述电池片(1)固定设置于所述承载组件和所述加压组件之间,所述加压组件包括多个探针(33),所述探针(33)抵接于所述电池片(1)第一表面侧边的主栅线(101)的端部并赋予第一电势,所述承载组件电连接于所述电池片(1)第二表面并赋予第二电势,所述第一电势和所述第二电势之间形成有所述反向偏置电压。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池欧姆接触优化设备,其特征在于,
所述加压组件的若干所述探针(33)呈两列设置,且两列所述探针(33)设置在所述电池片(1)的两侧,所述电池片(1)位于两列所述探针(33)之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司,未经拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310598404.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种弯管保持装置
- 下一篇:一种无纸化的业务办理方法、系统、装置及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





