[发明专利]顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法有效
| 申请号： | 202310572905.5 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116288658B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;李林东;高伟杰;吴超慧;陈志军;张鹏;丁云飞;许堃 | 申请（专利权）人： | 苏州晨晖智能设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。顶部间歇性掺杂的单晶炉包括炉体和间隙性掺杂器，间隙性掺杂器安装在炉体的喉口位置，间隙性掺杂器包括相互连接、且可相对转动的上盘和下盘，上盘上开设有多个第一通孔，第一通孔内用于装载掺杂剂，下盘上开设有第二通孔，控制下盘相对上盘转动，以使第二通孔移动至第一通孔的下方、释放第一通孔内的掺杂剂。通过间隙性掺杂器实现在炉体内顶投间歇式加入掺杂剂，能够对硅液中杂质浓度得到有效精准把控，降低了杂质对硅晶体缺陷的负面影响，提高了单晶硅棒的成晶率和晶棒品质。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部 间歇性 掺杂 单晶炉 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晨晖智能设备有限公司，未经苏州晨晖智能设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310572905.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
