[发明专利]一种晶圆沟道的直写填充装置在审
| 申请号： | 202310468642.3 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116525488A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴豪;徐洲龙;尹周平;谢斌 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 曹杰;方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆沟道的直写填充装置，属于晶圆沟道填充技术领域，包括有架体，所述架体侧壁垂直设有偏心旋转组件，所述架体下端竖直穿设有弹性流道控制杆，所述弹性流道控制杆和所述偏心旋转组件的轴线垂直，所述架体下方设有供料组件，所述供料组件内设有供料流道，所述供料组件侧壁设有和所述供料流道内部连通的加料组件，所述弹性流道控制杆下端位于所述供料流道内，上端和所述偏心旋转组件的输出端接触；所述偏心旋转组件工作时，按压所述弹性流道控制杆，控制所述供料流道的开闭进行供料。本发明提供的晶圆沟道的直写填充装置，减少了填充材料的使用量，减少了需要打磨的面积，降低了加工难度，提高了生产效率，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 填充 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
