[发明专利]射频器件的去嵌版图结构及去嵌方法在审
| 申请号： | 202310466124.8 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116562216A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;范象泉 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频器件的去嵌版图结构及去嵌方法，其中，去嵌版图结构包括：第一至第三开路测试结构和第一至第三短路测试结构，本申请通过利用若干不同尺寸的待测试射频器件进行模拟，分别选取0、最小值、最大值作为第一至第三开路测试结构的第一连接导线的长度；利用若干不同尺寸的待测试射频器件进行模拟，分别选取0、最小值、最大值作为第一至第三短路测试结构的第二连接导线的长度，本申请利用一组开路测试结构和一组短路测试结构获取所有待测试射频器件对应的开路/短路结构的寄生参数，避免了传统去嵌方式中一一对应地设计去嵌版图结构，从而节省版图面积，极大地降低了建模测量工作量，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 器件 版图 结构 方法 | ||
【主权项】：
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