[发明专利]射频器件的去嵌版图结构及去嵌方法在审
| 申请号： | 202310466124.8 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116562216A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;范象泉 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 器件 版图 结构 方法 | ||
1.一种射频器件的去嵌版图结构，其特征在于，包括：一组开路测试结构和一组短路测试结构，其中，
所述一组开路测试结构包括：第一至第三开路测试结构，各所述开路测试结构均包括：第一去嵌平面、设于所述第一去嵌平面两侧的两个第一信号端焊盘、设于所述第一去嵌平面四周的四个第一接地端焊盘以及待测试射频器件和所述第一信号端焊盘之间的左侧的第一连接导线、右侧的第一连接导线，四个所述第一接地端焊盘相互短接并且接地；
所述一组短路测试结构包括：第一至第三短路测试结构，各所述短路测试结构均包括：第二去嵌平面、设于所述第二去嵌平面两侧的两个第二信号端焊盘、设于所述第二去嵌平面四周的四个第二接地端焊盘以及待测试射频器件和所述第二信号端焊盘之间的左侧的第二连接导线、右侧的第二连接导线，四个所述第二接地端焊盘相互短接并且接地，两个所述第二信号端焊盘短接并且与所述第二接地端焊盘连接；
其中，利用阵列式排布的若干不同尺寸的所述待测试射频器件对任意一所述开路测试结构进行模拟，获取所述第一连接导线的若干长度，其中，选取0作为所述第一开路测试结构的第一连接导线的长度，选取长度最小值作为所述第二开路测试结构的第一连接导线的长度，选取长度最大值作为所述第三开路测试结构的第一连接导线的长度，其中，所述第一开路测试结构左、右侧的第一连接导线的长度记为(0，0)，所述第二开路测试结构左、右侧的第一连接导线的长度记为(LOLmin，LORmin),所述第三开路测试结构左、右侧的第一连接导线的长度记为(LOLmax，LORmax)；
利用阵列式排布的若干不同尺寸的所述待测试射频器件对任意一所述短路测试结构进行模拟，获取所述第二连接导线的若干长度，其中，选取0作为第一短路测试结构的第二连接导线的长度，选取长度最小值作为第二短路测试结构的第二连接导线的长度，选取长度最大值作为第三短路测试结构的第二连接导线的长度，其中，所述第一短路测试结构左、右侧的第二连接导线的长度记为(0，0)，所述第二短路测试结构左、右侧的第二连接导线的长度记为(LSLmin，LSRmin)，所述第三短路测试结构左、右侧的第二连接导线的长度记为(LSLmax，LSRmax)。
2.根据权利要求1所述的射频器件的去嵌版图结构，其特征在于，同一所述开路测试结构中，左侧的所述第一连接导线的长度与右侧的所述第一连接导线的长度相同；
同一所述短路测试结构中，左侧的所述第二连接导线的长度与右侧的所述第二连接导线的长度相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310466124.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
