[发明专利]一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202310452564.8 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116504887A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片，高光效LED外延片由下至上依次包括N型氮化物层、有源层以及P型氮化物层，有源层包括多个交替排布的量子阱层、插入层以及量子垒层，插入层包括多个周期性交替排布的第一元素层和第二元素层，本发明中的高光效LED外延片，通过在有源层中的量子阱层和量子垒层之间引入插入层、且插入层由第一元素层和第二元素层呈周期性交替排布，使得插入层的晶格常数介于量子阱层与量子垒层之间，有效地缓解了量子阱层与量子垒层的晶格失配，提升了有源层的晶体质量，降低了有源层中的极化电场，改善了因量子阱能带弯曲以及晶体质量偏差导致的发光效率下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高光效 led 外延 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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