[发明专利]一种掺杂铌酸锂靶材及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202310451818.4 申请日: 2023-04-25
公开(公告)号: CN116425538A 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 徐惠彬;高明;王方方;张虎 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;C04B35/645;G02F1/1523;G02F1/153
代理公司: 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 代理人: 高永
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种掺杂铌酸锂靶材及其制备方法和应用。所述掺杂铌酸锂靶材中掺杂源元素的总摩尔分数不高于30%,掺杂源元素选自Al、Ga、Zr、Mo、Ta、W中的一种或多种元素,且选择对应元素的摩尔质量分数范围为:Al元素0‑10%、Ga元素0‑5%、Zr元素0‑15%、Mo元素0‑15%、Ta元素0‑7%、W元素0‑10%;所述掺杂源元素都以氧化物的形式存在于靶材中;该掺杂铌酸锂靶材的组织具有多晶结构,其方块电阻小于106Ω。该铌酸锂靶材通过掺杂和制备工艺优化,具有导电性好、制备得到的铌酸锂薄膜离子电导率高等特点,可以适用于射频或中频磁控溅射工艺,并可在无机全固态电致变色器件中作为电解质层。
搜索关键词: 一种 掺杂 铌酸锂靶材 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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