[发明专利]硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法在审
申请号: | 202310443734.6 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116487487A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 霍亭亭;杨广涛;陈达明;白焱辉;李宏伟;孟子博;殷志豪 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 万铁占 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本公开实施例中提供硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法,通过对硅衬底进行双面制绒,并对制绒后的受光面进行吸杂以在受光面表面形成吸杂膜,以该吸杂膜进行保护,对制绒后的受光面进行平滑处理,之后去除吸杂膜。这样,硅衬底正、背面形成差异化绒面结构,受光面仍然保持陷光性较好的绒面结构,平滑处理后的另一面能够消除尖锐塔尖等区域,改善其本征非晶硅层沉积的均匀性,提高其钝化特性。因此,在本实施例中,一方面吸杂工艺有利于降低硅衬底中缺陷态,提高衬底体少子寿命,提升电池的电学性能,另一方面形成起到保护作用的吸杂膜,而无需引入新工艺步骤来形成对受光面的保护膜,节约了工艺步骤,易于实现,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 衬底 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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