[发明专利]一种氮化钛基电阻层的制备方法在审

专利信息
申请号: 202310431296.1 申请日: 2023-04-20
公开(公告)号: CN116716593A 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: 冯昊;张王乐;龚婷;秦利军;李建国;惠龙飞;房佳斌;李丹;胡逸云 申请(专利权)人: 西安近代化学研究所
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34;C23C16/52
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 王孝明
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种氮化钛基电阻层的制备方法,该方法采用原子层沉积法循环多个周期,每个周期内包括氮化钛沉积循环工艺和金属氧化物沉积循环工艺;或每个周期内包括氮化钛沉积循环工艺和金属氮化物沉积循环工艺。氮化钛基电阻层的厚度为20nm~80nm,氮化钛基电阻层的电阻值在0.01MΩ~500MΩ范围内能够调节。本发明的制备方法首次将金属氧化物或金属氮化物掺杂制备电阻值可控的电阻层薄膜。本发明的制备方法通过调节氮化钛及金属氮化物或氧化物掺杂比例,可获得厚度精确可控、电阻值大小精确可调的致密且均匀薄膜。
搜索关键词: 一种 氮化 电阻 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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