[发明专利]一种用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构在审
| 申请号： | 202310429861.0 | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116390629A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 高俊奇;李冰;沈莹;刘庆伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H10N39/00 | 分类号： | H10N39/00;H10N30/30;H10N30/853;H10N35/00;H10N35/85 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 马文巧 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，包括由上至下依次设置的第一Kapton电极层、PZT压电陶瓷层、第二Kapton电极层和Metglas磁致伸缩材料层；其中，当弯曲模式结构在磁场环境中工作时，所述Metglas磁致伸缩材料层产生形变，应变使粘连紧密的PZT压电陶瓷层受到应力变化，从而产生对应电极化效应，使所述第一Kapton电极层和第二Kapton电极层的叉指电极两端输出电压发生变化。本发明噪声基底极小，大大提高了低频磁场环境的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 磁电 传感器 谐振 频率 弯曲 模式 结构 | ||
【主权项】：
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