[发明专利]一种用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构

权利要求书

1.一种用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，包括：

由上至下依次设置的第一Kapton电极层、PZT压电陶瓷层、第二Kapton电极层和Metglas磁致伸缩材料层；

其中，当弯曲模式结构在磁场环境中工作时，所述Metglas磁致伸缩材料层产生形变，应变使粘连紧密的PZT压电陶瓷层受到应力变化，从而产生对应电极化效应，使所述第一Kapton电极层和第二Kapton电极层的叉指电极两端输出电压发生变化。

2.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

还包括环氧树脂层，所述环氧树脂层用于粘合依次连接的第一Kapton电极层、PZT压电陶瓷层、第二Kapton电极层和Metglas磁致伸缩材料层，并进行高效应力传递，环氧树脂固化过程中利用真空泵或是等静压机加压，利用烘干机加速固化，保证各层间连接紧密。

3.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

所述PZT压电陶瓷层基于5块180微米厚的压电PZT纤维沿着长轴方向水平排列获得；

所述PZT压电陶瓷层宽为10毫米，长为40毫米。

4.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

所述PZT压电陶瓷层的顶部和底部表面均通过环氧树脂层分别与第一Kapton电极层和第二Kapton电极层进行粘贴。

5.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

所述Metglas磁致伸缩材料层基于6个尺寸长80毫米、宽10毫米的Metglas箔上下重叠粘接在一起获得。

6.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，当弯曲模式结构在磁场环境中工作时，所述Metglas磁致伸缩材料层产生形变的过程包括，

将Metglas箔仅粘贴于底部，形成非对称结构，在磁场作用下，底层Metglas箔应变，且因非对称结构发生弯曲状形变。

7.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

所述弯曲模式结构基于Metglas/PZT长型三层L-L模式复合材料，通过改变材料层合模式，调整材料的应变形式，将L-L模式中的纵向拉伸应变优化为可弯曲形变获得。

8.根据权利要求1所述的用于降低磁电传感器谐振频率的弯曲模式结构，其特征在于，

获得所述弯曲模式结构还包括将压电电极和Metglas材料粘接完成后，将Metglas磁致伸缩材料层通过环氧树脂层粘贴于压电电极底部，粘贴时将Metglas材料与压电电极内的PZT材料上下对齐，再利用铜锭进行加压烘干固化。