[发明专利]一种碳化硅晶体生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202310429243.6 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116377566A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B30/02;C30B30/04 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 吴向青 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，所述生长装置包括：生长坩埚，所述坩埚内部设置有聚焦反应腔，所述聚焦反应腔与所述生长坩埚之间形成原料腔，聚焦反应腔内附有耐高温层；发热体，设置在所述生长坩埚的四周；保温层，设置在所述发热体的外侧；气体管路，设置所述保温层的底部，且位于所述聚焦反应腔的下方；传导单元，设置在所述气体管路的两侧；微波发生单元和激光发生单元，设置在所述保温层的外侧，与所述传导单元连接；电磁感应单元，设置在所述保温层上，并允许所述电磁感应单元在所述保温层上移动。通过本发明提供的一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，提高碳化硅晶体的掺杂质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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