[发明专利]闪存器件的形成方法在审
| 申请号： | 202310423512.8 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116437664A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王奇伟;舒宇飞;姚邵康;田志;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的形成方法，方法包括：提供一半导体衬底；于半导体衬底的表面形成栅氧化层，并于位于存储区的栅氧化层的表面形成栅极结构，于位于逻辑区的栅氧化层的表面形成外围多晶硅层；通过刻蚀工艺刻蚀位于漏区区域的栅极结构以形成第一窗口；通过刻蚀工艺刻蚀外围多晶硅层以形成外围多晶硅栅，其中，外围多晶硅栅与位于存储区的栅极结构之间形成有第二窗口；于第一窗口及第二窗口内填充高致密性的第一介质层；通过自对准刻蚀工艺刻蚀位于源区区域的栅极结构以形成第三窗口；于第三窗口内形成具有较大孔隙的第二介质层。通过本发明解决了现有的于闪存器件的源端形成空气间隙时无法使得漏端填充效果得到保证的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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