[发明专利]闪存器件的形成方法

权利要求书

1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1)提供一半导体衬底，其分为存储区及逻辑区，且所述存储区包括源区区域和漏区区域；

步骤2)于所述半导体衬底的表面形成栅氧化层，并于位于所述存储区的所述栅氧化层的表面形成栅极结构，于位于所述逻辑区的所述栅氧化层的表面形成外围多晶硅层，其中，所述栅极结构包括浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层；

步骤3)通过刻蚀工艺刻蚀位于所述漏区区域的所述栅极结构直至漏出所述栅氧化层以形成第一窗口；

步骤4)通过刻蚀工艺刻蚀所述外围多晶硅层以形成外围多晶硅栅，其中，所述外围多晶硅栅与位于所述存储区的所述栅极结构之间形成有第二窗口；

步骤5)于所述第一窗口及所述第二窗口内填充高致密性的第一介质层；

步骤6)通过自对准刻蚀工艺刻蚀位于所述源区区域的所述栅极结构直至漏出所述栅氧化层以形成第三窗口；

步骤7)于所述第三窗口内填充具有较大孔隙的第二介质层。

2.根据权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在于所述半导体衬底的表面形成所述栅氧化层之前，所述方法包括：对所述源区区域进行自对准离子注入以形成源区的步骤，此时，所述半导体衬底内具有浅沟槽。

3.根据权利要求2所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在进行自对准离子注入工艺之后及形成所述栅氧化层之前，所述方法包括：于所述浅沟槽内形成填充层以得到浅沟槽隔离结构的步骤。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，通过刻蚀工艺刻蚀位于所述漏区区域的所述栅极结构直至漏出所述栅氧化层以形成所述第一窗口的方法包括：

于所述控制栅多晶硅层及所述外围多晶硅层的表面形成硬掩膜层；

于所述硬掩膜层的表面形成介质抗反射层；

于所述介质抗反射层的表面形成第一光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出位于所述漏区区域的所述介质抗反射层；

刻蚀所述介质抗反射层、所述硬掩膜层及所述栅极结构直至漏出所述栅氧化层以形成所述第一窗口。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，于所述第一窗口及所述第二窗口内填充具有高密度性的所述第一介质层之前，所述方法包括：

于所述第一窗口及所述第二窗口的侧壁形成侧墙；

于所述第一窗口及所述第二窗口的底部及所述侧墙的表面形成金属硅化物层，且所述金属硅化物层延伸至所述控制栅多晶硅层及所述外围多晶硅栅的表面；

于所述金属硅化物层的表面形成刻蚀停止层。

6.根据权利要求5所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙之后及形成所述金属硅化物层之前，所述方法包括：通过离子注入工艺进行轻掺杂漏注入，及通过离子注入工艺形成漏区。

7.根据权利要求5或6所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙包括ONO结构。

8.根据权利要求7所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，于所述第一窗口及所述第二窗口内填充高致密性的所述第一介质层方法包括：

利用高密度等离子体沉积工艺形成所述第一介质层以填满所述第一窗口及所述第二窗口，并延伸至所述第一窗口及所述第二窗口以外区域的表面；

利用化学机械研磨工艺研磨所述第一介质层直至漏出所述刻蚀停止层。

9.根据权利要求8所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅。

10.根据权利要求8所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质包括氮化硅。

11.根据权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，于所述第三窗口内填充具有较大孔隙的所述第二介质层之前，所述方法包括于通过步骤6)所形成结构的表面形成氧化层的步骤。