[发明专利]一种DBC基板中铜片表面处理工艺在审
| 申请号： | 202310415475.6 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116497414A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 严星冈;韩健;詹学武;陈华星;章亚萍 | 申请（专利权）人： | 广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D5/34;C25D5/48;C25D3/38;C23C22/68;C23G1/20;C23G1/10 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 王玉 |
| 地址： | 242200 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DBC基板中铜片表面处理工艺，属于DBC基板生产技术领域，包括以下步骤：将经预处理的铜片进行粗化、固化和表面硅烷化处理，硅烷化处理过程：将固化铜片浸入改性硅烷溶液中涂覆，其中，改性硅烷溶液由超支化聚硅氧烷接枝二硫化碳制备而成，以超支化聚硅氧烷为原料接枝二硫化碳，形成了二硫代氨基结构，二硫代氨基结构具有优异的螯合性能，能够将硅氧烷单体和金属铜片表面紧密螯合，硅氧烷单体结构中的硅烷氧基和有机官能团水解时生成硅醇，与无机物结合，形成硅氧烷，最终在铜片表面生成单分子硅氧烷膜，硅氧烷膜和陶瓷表面在高温烧结过程中，通过共价键形式相缔结，保证了铜片与陶瓷基板的有效结合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dbc 基板中 铜片 表面 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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