[发明专利]III族氮化物外延层结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物外延层结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；于衬底表面生长成核层；于成核层上生长III族氮化物薄膜，原位生长SiNx纳米颗粒，覆盖于位错处；提高III族氮化物薄膜的横向生长速度并继续生长，覆盖SiNx纳米颗粒。本发明在生长III族氮化物薄膜时，位错处的自由能较高，SiNx纳米颗粒将优先在位错处成核，达到自选择覆盖位错的目的，SiNx覆盖III族氮化物薄膜位错处，继续生长提高二维生长速度，III族氮化物薄膜横向生长覆盖SiNx纳米颗粒，在SiNx纳米颗粒的阻挡下，原位错不再继续向表面蔓延，SiNx纳米颗粒起到促进位错弯曲湮灭的作用，从而降低后续外延层中的位错密度。