[发明专利]一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管在审
| 申请号： | 202310407779.8 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116469928A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明的耐压层结构采用了和N型电场截止层相反的掺杂电荷构成P型漂移区，P型漂移区采用的掺杂浓度远低于N型电场截止层，同时也远低于P型基区的掺杂浓度，为主要耐压层。在关断时，本发明的可关断晶闸管耗尽区内部的电荷极性和通态电流带来的额外载流子极性相反，通态电流的增加不会增加器件内部的电场峰值，因此不会发生动态雪崩效应，大大提升了可以关断的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 动态 雪崩 抗性 可关断 晶闸管 | ||
【主权项】：
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