[发明专利]一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管在审
| 申请号： | 202310407779.8 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116469928A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 动态 雪崩 抗性 可关断 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管，其半元胞包括阳极结构、耐压层结构、基区结构、栅极结构和阴极结构；其特征在于，
所述阳极结构包括阳极金属(1)以及P+阳极区(2)；所述P+阳极区(2)位于阳极金属(1)上表面；所述阳极金属(1)引出端为阳极；
所述耐压层结构包括N型电场截止层(3)以及P型漂移区(4)；所述P型漂移区(4)采用和所述N型电场截止层(3)相反的掺杂电荷，所述P型漂移区(4)采用的掺杂浓度远低于所述N型电场截止层(3)的掺杂浓度，所述P型漂移区(4)位于所述N型电场截止层(3)的上表面，N型电场截止层(3)位于P+阳极区(2)的上表面；
所述基区结构和栅极结构包括P型基区(5)，高浓度的P型栅极区(9)以及栅极金属(8)；所述的高浓度的P型栅极区(9)位于所述P型基区(5)一端的上层，所述栅极金属(8)位于所述P型基区(5)的上表面；所述的栅极金属(8)引出端为栅极；
所述阴极结构包括阴极金属(7)和N+阴极区(6)；所述N+阴极区(6)位于P型基区(5)另一端的上表面，N+阴极区(6)和栅极金属(8)均位于P型基区(5)的上表面并且两者之间具有间距，所述阳极金属(7)位于N+阴极区(6)的上表面；所述阴极金属(7)引出端为阴极。
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