[发明专利]基于准增强型氮化镓器件的反相器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种基于准增强型氮化镓器件的反相器及其制造方法，反相器包括耗尽型负载晶体管和一个准增强型负载晶体管，准增强型负载晶体管由一个耗尽型负载晶体管的源极和栅极之间串联若干二极管形成，二极管为与晶体管一同制备的肖特基势垒二极管，准增强型负载晶体管的漏极与耗尽型负载晶体管的源极和栅极连接，本发明通过对器件结构的改变，制备了阈值电压为正的准增强型GaN HEMT器件，不需要对半导体层进行刻蚀，降低对刻蚀设备的需求，简化制备工艺流程，同时避免了刻蚀所带来的损伤，提高了器件的性能；将准增强型器件与耗尽型器件同时集成在一个外延片上，这两种器件通过金属连接，构成单片集成的反相器电路。