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[发明专利]一种检测电路及传感器-CN201980098408.8在审
发明人：曾秋玲;刘燕翔;陈赞锋;夏禹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：一种检测电路，用于检测应力对电特性的影响，该检测电路包括：PMOS管主导自振荡环(101)、NMOS管主导自振荡环(102)和频率读取模块(103)；PMOS管主导自振荡环(101)的信号路径中的PMOS管数量大于NMOS管数量；NMOS管主导自振荡环(102)的信号路径中的NMOS管数量大于PMOS管数量；频率读取模块(103)用于读取PMOS管主导自振荡环(101)或NMOS管主导自振荡环(102)输出的频率信号。该NMOS管主导自振荡环(102)输出的频率信号表征应力对NMOS管的电特性影响，PMOS管主导自振荡环(101)输出的频率信号表征应力对PMOS管的电特性影响。可以根据应力对NMOS管的影响以及PMOS管的影响改善电路的制造工艺，以减少应力对电路的电特性的影响。
一种检测电路传感器

[发明专利]复合型半导体装置-CN201680045947.1有效
发明人：木原诚一郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：提供一种抑制了布线面积的增大的同时，改善了应答性能及可靠性的复合型半导体装置。指状电极1配置成多行多列，经由栅极端子(3)输入的信号，从与指状电极1中、同一行或相邻的两行的指状电极1的各个栅极电极(G)连接且沿上述行形成的栅极布线(18)的上述行方向上的中间区域被供给。
复合型半导体装置

[发明专利]集成耗尽增强管的制备方法-CN201811076167.0在审
发明人：孙晓儒;徐栋 -专利权人：福建省福芯电子科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：一种集成耗尽增强管的制备方法，包括如下步骤，选用N型晶向衬底，在衬底上设置隔离区、第一增强区及第一耗尽区，对第一增强区、第一耗尽区进行耐压环区光刻，对耐压环区进行注入、推进和氧化，形成隔离区内的P型掺杂扩散，在对第一增强区、第一耗尽区进行栅极氧化时，沉积多晶硅：再对二者的栅极进行多晶注入，然后进行光刻、腐蚀，再进行NSD注入，同时在多晶上形成多个PN结从而形成耗尽区增强区的源区，最后进行溅射光刻、钝化沉积和背面蒸发。集成耗尽增强管的制作方法使得在增强管的制造过程中同时集成融合耗尽管，通过集成了抗ESD功能器件，可有效增强器件抗ESD能力。
耗尽区增强管增强区光刻耗尽衬底多晶环区耐压沉积制备抗ESD能力功能器件制造过程多晶硅隔离区钝化溅射晶向源区背面蒸发腐蚀隔离扩散融合制作

[发明专利]石墨烯存储单元及其制造方法-CN200980140804.9有效
发明人：巴巴罗斯·欧伊尔迈兹;郑毅;倪广信;杜志达 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元(10)，包括石墨烯层(16)，石墨烯层(16)具有代表存储单元(10)的数据值的可控电阻状态。在一个实例性的实施例中，通过使用铁电层(18)控制电阻状态来提供非易失性存储器。在实例性的实施例中，二进制“0”和“1”分别由石墨烯层(16)的低电阻状态和高电阻状态来代表，且这些状态由铁电层(18)的极化方向以非易失性方式进行切换。
石墨存储单元及其制造方法

[发明专利]增强型和耗尽型垂直双扩散型场效应管单片集成制作工艺-CN200710131526.3有效
发明人：朱伟民;易法友;聂卫东;陈东勤 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：增强型和耗尽型垂直双扩散型场效应管单片集成制作工艺是一种用于在同一块IC上同时制作高压(650V)共漏的增强型和耗尽型VDMOS的工艺方法，VDMOS的材料片是采用的N(100)掺砷衬底，电阻率小于0.005Ω·CM，外延厚度55μm，外延电阻率24Ω·CM。耐压可以稳定的做到650V，最高可以做到700V。为了在增强型的VDMOS表面制作一个耗尽型VDMOS，要对耗尽区域进行独立的开启电压调节，即增加一次用VT版的杂质。同时对于工艺过程的前后做了相应的调整。该工艺具有光刻次数少，成本低，制成控制简单的优点。
增强耗尽垂直扩散场效应单片集成制作工艺