[发明专利]一种超晶格红外探测器的制备方法有效
申请号: | 202310395930.0 | 申请日: | 2023-04-14 |
公开(公告)号: | CN116130561B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 薛建凯;李斌;苏莹;冯伟 | 申请(专利权)人: | 山西创芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G06F30/20;G06Q10/0633;G06Q50/04;G06F119/18 |
代理公司: | 北京一诺通成知识产权代理事务所(普通合伙) 16145 | 代理人: | 龚春娟 |
地址: | 030012 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明提供了一种超晶格红外探测器的制备方法,包括:按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与制备要求一致的制备方案;分析制备方案中每个制备流程的流程属性以及每个制备流程所涉及的标准制备参数;根据流程属性以及标准制备参数,且结合当下制备材料的材料属性,构建同个制备流程的流程信息表以及相邻制备流程的稳定信息表;根据所有流程信息表,对待制备探测器进行第一模拟,且将所有流程信息表以及稳定信息表按照完整制备流程,对待制备探测器进行第二模拟;根据模拟结果生成模拟数组列表,并筛选满足生产制备标准的数组信息,并对实际探测器进行多方位验证。为有效保证探测器的制备精度,方便进一步达到制备预期。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶格 红外探测器 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的