[发明专利]一种超晶格红外探测器的制备方法有效
申请号: | 202310395930.0 | 申请日: | 2023-04-14 |
公开(公告)号: | CN116130561B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 薛建凯;李斌;苏莹;冯伟 | 申请(专利权)人: | 山西创芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G06F30/20;G06Q10/0633;G06Q50/04;G06F119/18 |
代理公司: | 北京一诺通成知识产权代理事务所(普通合伙) 16145 | 代理人: | 龚春娟 |
地址: | 030012 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶格 红外探测器 制备 方法 | ||
1.一种超晶格红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1:按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与所述制备要求一致的制备方案;
步骤2:分析所述制备方案中每个制备流程的流程属性以及每个制备流程所涉及的标准制备参数;
步骤3:根据所述流程属性以及标准制备参数,且结合当下制备材料的材料属性,构建同个制备流程的流程信息表,同时,根据相邻制备流程之间的流程触发关系,构建相邻制备流程的稳定信息表;
步骤4:根据所有流程信息表,对待制备探测器进行第一模拟,且将所有流程信息表以及稳定信息表按照完整制备流程,对待制备探测器进行第二模拟;
步骤5:根据第一模拟结果与第二模拟结果,生成模拟数组列表,并筛选满足生产制备标准的数组信息,进行实际生产制备,并对实际探测器进行多方位验证。
2.如权利要求1所述的超晶格红外探测器的制备方法,其特征在于,按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与所述制备要求一致的制备方案,包括:
对所述制备要求进行需求解析,获取得到若干需求脚本以及每个需求脚本所匹配的需求任务结果;
消除对应需求脚本的歧义脚本,并根据歧义脚本与所匹配的需求任务结果,获取得到新的需求脚本以及新的任务结果;
对所述制备要求进行词义重要位置解析,从所述新的需求脚本中锁定主要脚本,并从脚本数据库中调取与锁定的主要脚本并列出现的若干历史脚本列表;
获取所述新的需求脚本中除去主要脚本后的剩余脚本,并分别将每个剩余脚本与每个历史脚本列表进行脚本匹配,并获取匹配频次;
对所有剩余脚本的匹配频次进行频次大小排序,判断是否存在重叠排序;
若存在,获取重叠脚本的新的任务结果所对应的任务执行权重,且结合对应的词义位置权重,得到排序值并进行大小排序,得到最终排序结果;
其中,P表示对应重叠脚本的排序值;max表示最大值符号;min表示最小值符号;w1表示对应重叠脚本的词义位置权重;r1表示对应重叠脚本的任务执行权重;
若不存在,将频次大小排序结果作为最终排序结果;
将所述主要脚本作为并列脚本进行初排列,按照最终排序结果对所有剩余脚本进行次排列,得到需求匹配列表;
基于所述制备数据库对所述需求匹配列表中的每个新的需求脚本进行脚本协同匹配,调取得到与所述制备要求一致的制备方案。
3.如权利要求1所述的超晶格红外探测器的制备方法,其特征在于,所述制备方案包括:不同制备流程的流程属性以及不同制备流程的标准制备参数。
4.如权利要求1所述的超晶格红外探测器的制备方法,其特征在于,根据所述流程属性以及标准制备参数,且结合当下制备材料的材料属性,构建同个制备流程的流程信息表,包括:
获取同个制备流程中涉及到的材料类型,并根据所述材料类型的类型唯一编码,从材料数据库中得到匹配材料;
分别获取对每个匹配材料的最新检测报告,通过属性分析模型,获取得到对应匹配材料的材料属性;
将同个材料的材料属性与标准属性进行对比;
确定同个材料基于同个制备流程的流程属性以及标准制备参数所构建的初始流程表的材料进入位置以及材料结束位置;
将同个材料的对比结果与同个材料的材料进入位置以及材料结束位置所构成的参与制备过程输入到结果-过程分析模型中,确定同个材料的对比结果所存在的影响条件;
判断每个影响条件是否满足对应的材料影响标准,并对满足材料影响标准的影响条件进行第一标定以及对不满足材料影响标准的影响条件进行第二标定;
根据第一标定次数以及第二标定次数,且结合第一标定结果对应的材料权重以及第二标定结果对应的材料权重,确定最后影响部分:
当以及时,判定第二标定结果作为最后影响部分;
否则,将第一标定结果作为最后影响部分;
其中,B2表示对应的第二标定次数;B1表示对应的第一标定次数;表示第i1个第二标定结果所对应的材料权重;表示第i2个第一标定结果所对应的材料权重;
基于所述最后影响部分中每个影响条件基于所述初始流程表的材料进入位置进行持续优化,得到流程信息表。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的