[发明专利]一种超晶格红外探测器的制备方法有效
申请号: | 202310395930.0 | 申请日: | 2023-04-14 |
公开(公告)号: | CN116130561B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 薛建凯;李斌;苏莹;冯伟 | 申请(专利权)人: | 山西创芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G06F30/20;G06Q10/0633;G06Q50/04;G06F119/18 |
代理公司: | 北京一诺通成知识产权代理事务所(普通合伙) 16145 | 代理人: | 龚春娟 |
地址: | 030012 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶格 红外探测器 制备 方法 | ||
本发明提供了一种超晶格红外探测器的制备方法,包括:按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与制备要求一致的制备方案;分析制备方案中每个制备流程的流程属性以及每个制备流程所涉及的标准制备参数;根据流程属性以及标准制备参数,且结合当下制备材料的材料属性,构建同个制备流程的流程信息表以及相邻制备流程的稳定信息表;根据所有流程信息表,对待制备探测器进行第一模拟,且将所有流程信息表以及稳定信息表按照完整制备流程,对待制备探测器进行第二模拟;根据模拟结果生成模拟数组列表,并筛选满足生产制备标准的数组信息,并对实际探测器进行多方位验证。为有效保证探测器的制备精度,方便进一步达到制备预期。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种超晶格红外探测器的制备方法。
背景技术
超晶格材料在红外探测领域具有极大的潜力和优势,比如,在红外热成像技术中,长波制冷探测器能抗沙尘和反光干扰,适用于复杂背景下的目标探测,如沙尘中的车辆、水面的船舶、反光的云层和飞机等场景。中长波双色制冷红外探测器是将中波和长波探测的优点集合在一个制冷红外探测器组件中,可以同时在中波和长波红外波段进行高性能成像,大大降低了虚警率。可用于复杂背景的探测以及高速运动目标的监测。
但是,在对探测器进行生产的过程中,会因为生产过程中实际影响因素,比如材料氧化、表面材料不稳定等,会对按照标准方式所生产得到的探测器造成一定精度上的损失,导致制备的探测器达不到制备预期。
因此,本发明提出一种超晶格红外探测器的制备方法。
发明内容
本发明提供一种超晶格红外探测器的制备方法,用以通过获取与需求匹配的制备方案,为后续达到预期提供基础,且通过结合流程信息表与稳定信息表来进行模拟,为有效保证探测器的制备精度,方便进一步达到制备预期。
本发明提供一种超晶格红外探测器的制备方法,包括:
步骤1:按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与所述制备要求一致的制备方案;
步骤2:分析所述制备方案中每个制备流程的流程属性以及每个制备流程所涉及的标准制备参数;
步骤3:根据所述流程属性以及标准制备参数,且结合当下制备材料的材料属性,构建同个制备流程的流程信息表,同时,根据相邻制备流程之间的流程触发关系,构建相邻制备流程的稳定信息表;
步骤4:根据所有流程信息表,对待制备探测器进行第一模拟,且将所有流程信息表以及稳定信息表按照完整制备流程,对待制备探测器进行第二模拟;
步骤5:根据第一模拟结果与第二模拟结果,生成模拟数组列表,并筛选满足生产制备标准的数组信息,进行实际生产制备,并对实际探测器进行多方位验证。
优选的,按照超晶格红外探测器的制备要求,从制备数据库中调取与所述制备要求一致的制备方案,包括:
对所述制备要求进行需求解析,获取得到若干需求脚本以及每个需求脚本所匹配的需求任务结果;
消除对应需求脚本的歧义脚本,并根据歧义脚本与所匹配的需求任务结果,获取得到新的需求脚本以及新的任务结果;
对所述制备要求进行词义重要位置解析,从所述新的需求脚本中锁定主要脚本,并从脚本数据库中调取与锁定的主要脚本并列出现的若干历史脚本列表;
获取所述新的需求脚本中除去主要脚本后的剩余脚本,并分别将每个剩余脚本与每个历史脚本列表进行脚本匹配,并获取匹配频次;
对所有剩余脚本的匹配频次进行频次大小排序,判断是否存在重叠排序;
若存在,获取重叠脚本的新的任务结果所对应的任务执行权重,且结合对应的词义位置权重,得到排序值并进行大小排序,得到最终排序结果;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的