[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构在审
| 申请号： | 202310392327.7 | 申请日： | 2023-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116435340A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 朱涛;张丙可;魏晓光;李嘉琳;李玲;周行;赵万利;葛欢;常树丞;阎海亮;李青岭 | 申请（专利权）人： | 北京智慧能源研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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