[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构在审
| 申请号： | 202310392327.7 | 申请日： | 2023-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116435340A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 朱涛;张丙可;魏晓光;李嘉琳;李玲;周行;赵万利;葛欢;常树丞;阎海亮;李青岭 | 申请（专利权）人： | 北京智慧能源研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
1.一种肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；
所述高掺杂区为P型或N型；
所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；
所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；
所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，元胞区形状为方形、圆形、条形或六角形，所述元胞区的基底材料为硅或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，高肖特基势垒接触区域数量为多个。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述肖特基势垒接触区被所述高掺杂区包围。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述高肖特基势垒接触区面积小于肖特基势垒接触区面积。
6.根据权利要求4或5所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述高肖特基势垒接触区域分为多个小面积区域，分布在所述肖特基势垒接触区域之间。
7.根据权利要求6所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述高肖特基势垒区域数量为多个。
8.根据权利要求7所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述高肖特基势垒接触区域分布随机无规律。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管的元胞结构，其特征在于，所述高肖特基势垒接触区为条形或间断条形。
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