[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构

说明书

一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种肖特基二极管的元胞结构。

背景技术

肖特基二极管是功率电子电路中的重要组成部分，它比PiN二极管具有更小的正向导通电压，当其肖特基结处于反向偏置时，强电场会导致较大的漏电，结势垒肖特基二极管(JBS)、混合式PIN-肖特基二极管(MPS)同时具有肖特基结势垒二极管开启电压低，恢复速度快以及PiN二极管击穿电压高，反向漏电流密度低的优点。其通过在元胞区引入高掺杂区来降低表面电场强度。当器件处于反偏状态下，耗尽区增大，导电通道被夹断。当加正向电压时，耗尽区缩小肖特基接触面导电。

但是当高肖特垒区接触区域面积过大，肖特基势垒不够高时，高掺杂区域不能对此区域进行很有效的保护，此处会存在阻断漏电流偏大的情况；如果肖特基面积小，肖特基势垒高时，正向导通压降又会过大。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明提供了一种肖特基二极管的元胞结构，能够减少反向阻断漏电的同时使正向导通压降不增加太多。

本发明采用了如下的技术方案：

本发明提供了一种肖特基二极管的元胞结构，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；

所述高掺杂区为P型或N型；

所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；

所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；

所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。

进一步的，元胞区形状为方形、圆形、条形或六角形，所述元胞区的基底材料为硅或碳化硅。

进一步的，高肖特基势垒接触区域数量为多个。

进一步的，所述肖特基势垒接触区被所述高掺杂区包围。

进一步的，所述高肖特基势垒接触区面积小于肖特基势垒接触区面积。

进一步的，所述高肖特基势垒接触区域分为多个小面积区域，分布在所述肖特基势垒接触区域之间。

进一步的，所述高肖特基势垒区域数量为多个。

进一步的，所述高肖特基势垒接触区域分布随机无规律。

进一步的，所述高肖特基势垒接触区为条形或间断条形。

与现有技术相比，本发明的技术方案能够实现如下有益的技术效果：

本发明的肖特基二极管，通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒接触区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。

附图说明

图1为本发明实施例1中肖特基二极管单个六角形元胞结构平面示意图；

图2为本发明实施例1中肖特基二极管多个六角形结构阵列平面示意图；

图3为本发明实施例2中肖特基二极管多个条形元胞结构阵列平面示意图；