[发明专利]一种提高碳化硅粉料利用率的方法在审
| 申请号： | 202310384078.7 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116288679A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;王兴龙;陈秀芳;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高碳化硅粉料利用率的方法。本发明的方法中采用一种特定的隔离筒，通过使用设定尺寸的隔离筒进行碳化硅单晶生长，有效改善了粉料内部的温度分布，降低了粉料内部的轴向温度梯度以及径向温度梯度，抑制了碳化硅粉料在坩埚中心区域结晶的问题，同时也对粉料表面的结晶现象具减轻作用，提高了碳化硅粉料的利用率。同时巧妙地将坩埚壁的热量经热传导方式传递到SiC粉料的传热形式转换为将坩埚壁的热量经热辐射的形式传递到隔离筒的传热形式，一定程度上减少了由于SiC粉料粒度波动等因素对坩埚壁‑SiC粉料热传导的影响，提高了坩埚壁向坩埚中心传热的效率和碳化硅粉料中的温度均匀性，降低了加热系统所需能耗，降低了碳化硅单晶生产成本。本发明中的方法，与目前生长工艺相兼容，便于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 利用率 方法 | ||
【主权项】：
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