[发明专利]一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202310357918.0 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116666454A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 涂长招;王力;涂金福;李敏;袁益飞 | 申请（专利权）人： | 福建康博电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 高巍 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市新罗区东*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；金属层，金属层设置于外延层上；沟槽结构，设置于外延层中，沟槽结构包括至少两个器件单胞，器件单胞包括第一沟槽和两个第二沟槽，两个第二沟槽分别设置于第一沟槽的两侧，第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；第一沟槽和两个第二沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖；两个器件单胞之间还设置有N掺杂深阱部。本方案能够解决现有技术MOSFET中降低了栅氧电场，但是随着P+栅氧保护区的引入，使得器件导通电阻变大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 rds 沟道 增强 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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