[发明专利]一种深沟槽器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310342781.1 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116798940A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马小波;李明;吴建刚 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 杜杨 |
| 地址： | 201000 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种深沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请提供了本申请提供了一种深沟槽器件及其制作方法，首先提供第一掺杂类型衬底，接着基于衬底的一侧制作第二掺杂类型埋层与第一掺杂类型外延层，再基于外延层同时制作第一沟槽与第二沟槽；其中，第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度，且第一沟槽延伸至第二掺杂类型埋层内，第二沟槽延伸至第一掺杂类型衬底内，再基于第一沟槽与第二沟槽的侧壁制作间隔层，最后基于第一沟槽与第二沟槽沉积第二掺杂类型多晶硅。本申请提供的深沟槽器件及其制作方法具有工艺更加简单，成本更低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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