[发明专利]图像传感器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202310339604.8 申请日: 2023-03-31
公开(公告)号: CN116314230A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 高佳明;秋沉沉;钱俊;孙昌 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 郑玮
地址: 201314*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种图像传感器,至少包括:基底层,基底层包括多个光电二极管;滤色片层,滤色片层形成于基底层的正面上方,滤色片层包括多个滤色片以及位于相邻滤色片之间的介电栅格。本发明提供的图像传感器,采用光吸收率更小的介电栅格作为相邻滤色片之间的隔离结构,可有效解决金属栅格引起的光损耗问题,提高图像传感器的灵敏度;相比于常规的金属栅格,介电栅格还具有较低的折射率,可改善光学串扰问题。本发明还提供一种图像传感器的形成方法,可用于形成上述的图像传感器。
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310339604.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top