[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 202310339604.8 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116314230A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高佳明;秋沉沉;钱俊;孙昌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
基底层，所述基底层包括多个光电二极管；
滤色片层，所述滤色片层形成于所述基底层的正面上方，所述滤色片层包括多个滤色片以及位于相邻滤色片之间的介电栅格。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述介电栅格包括二氧化硅栅格。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述介电栅格对可见光的折射率不超过1.6。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括背照式图像传感器，所述背照式图像传感器还包括位于所述基底层的背面上的互连层。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括微透镜层，所述微透镜层包括多个微透镜，且所述微透镜层位于所述滤色片层上。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括介电层，所述介电层位于所述基底层和所述滤色片层之间。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括抗反射层，所述抗反射层位于所述基底层和所述介电层之间。
8.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底层，所述基底层中形成有多个光电二极管；
在所述基底层上形成介电栅格材料层，并刻蚀所述介电栅格材料层，以形成多个间隔排列的介电栅格；
在相邻介电栅格的间隙形成滤色片。
9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述介电栅格包括二氧化硅栅格。
10.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述介电栅格对可见光的折射率不超过1.6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
