[发明专利]一种GaN基LED外延片及外延生长方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202310334290.2 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116435421A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法、LED芯片，通过设置沿外延生长方向依次沉积的N型掺杂GaN层、第一未掺杂GaN间隔层、第一N型掺杂BGaN层、第二未掺杂GaN间隔层以及第二N型掺杂BGaN层组成的N型复合层，由于N型掺杂GaN层和第二N型掺杂BGaN层中Si浓度均高于第一N型掺杂BGaN层中Si浓度，高浓度掺杂会向低浓度掺杂本征扩散，进行非故意掺杂，从而有效降低LED被击穿的可能，另外，由于BGaN的禁带宽度大于GaN，可以增加LED的反向击穿电压，GaN/BGaN交替生长可以通过不同的外延界面过滤位错，减小缺陷的延伸，进一步提高LED的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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