[发明专利]光刻胶图形的形成方法在审
| 申请号： | 202310333516.7 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116300318A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王梦知 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201807 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶图形的形成方法，包括：提供半导体衬底和掩模版，掩模版具有若干凸起的掩模图形；将半导体衬底与掩模版具有掩模图形的一面贴合以形成若干间隙，且将半导体衬底与掩模版置于盛有光刻胶的容器中；执行超声波传导工艺，将超声波传导至容器以使光刻胶均匀填充于间隙中；以及，执行固化工艺，以固化间隙中的光刻胶形成若干光刻胶图形。本发明能够避免旋涂光刻胶的过程中出现旋涂不均的现象或空洞的产生；且无需额外的刻蚀工艺形成光刻胶图形，以简化制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
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