[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202310323003.8 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116207038A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 顾文斌;卓明川;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有互连结构，半导体衬底的表面暴露出互连结构的顶层金属层，在半导体衬底上形成有钝化层，钝化层覆盖顶层金属层和半导体衬底；在钝化层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层在顶层金属层上方形成有开口；固化处理光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，在开口处刻蚀钝化层，以暴露出顶层金属层，并形成通孔，剩余的光刻胶层还覆盖开口外侧的钝化层。本发明的半导体器件的形成方法经过固化处理后的光刻胶层的刻蚀速率明显小于现有技术的刻蚀速率，有效保护了钝化层避免受到损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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