[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202310323003.8 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116207038A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 顾文斌;卓明川;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有互连结构，所述半导体衬底的表面暴露出所述互连结构的顶层金属层，在所述半导体衬底上形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层金属层和半导体衬底；
步骤S2：在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，图形化的所述光刻胶层在所述顶层金属层上方形成有开口；
步骤S3：固化处理所述光刻胶层；以及
步骤S4：以图形化的所述光刻胶层为掩模，在所述开口处刻蚀所述钝化层，以暴露出所述顶层金属层，并形成通孔，剩余的所述光刻胶层还覆盖所述开口外侧的所述钝化层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S3包括：
通过UV光固化处理所述光刻胶层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述UV光固化工艺采用的UV光的波长为280nm～400nm。
4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述UV光固化工艺在90℃～150℃的温度下加热30～80秒。
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述UV光固化工艺在110℃的温度下加热60秒。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S2包括：
通过涂覆工艺在所述钝化层上形成光刻胶层；以及
通过光刻工艺形成图形化的所述光刻胶层，图形化的所述光刻胶层中形成有开口，所述开口位于所述顶层金属层的上方。
7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度不超过
8.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述钝化层由下至上依次包括HDP膜层、TEOS膜层、SRO膜层和氮化硅膜层。
9.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述钝化层由下至上依次包括TEOS膜层、HDP膜层、SRO膜层和氮化硅膜层。
10.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层的厚度大于3μm。
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