[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有互连结构，半导体衬底的表面暴露出互连结构的顶层金属层，在半导体衬底上形成有钝化层，钝化层覆盖顶层金属层和半导体衬底；在钝化层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层在顶层金属层上方形成有开口；固化处理光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，在开口处刻蚀钝化层，以暴露出顶层金属层，并形成通孔，剩余的光刻胶层还覆盖开口外侧的钝化层。本发明的半导体器件的形成方法经过固化处理后的光刻胶层的刻蚀速率明显小于现有技术的刻蚀速率，有效保护了钝化层避免受到损坏。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

目前，半导体器件在形成金属互连结构层之后，需要通过钝化层来保护金属互连层的顶层金属层，当顶层金属层的厚度较厚例如是4μm时，保护所述顶层金属层的钝化层的厚度也会相应的增厚，例如钝化层的厚度至少要求为1.2μm。

在厚的钝化层形成之后，在钝化层中形成连通顶层金属层的通孔时，需要形成厚的光刻胶层，由于光刻胶层的厚度最厚不能超过这就使得钝化层的总厚度无法增加，即钝化层的刻蚀工艺中容易出现顶层金属层上方的光刻胶被完全刻蚀，并进一步的刻蚀钝化层，导致顶层金属层上方的钝化层被部分刻蚀，造成钝化层1的破坏(如图1所示)，这样不利于钝化层保护顶层金属层。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种半导体器件的形成方法，可以有效降低光刻工艺对钝化层的损坏。

为了解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：

步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有互连结构，所述半导体衬底的表面暴露出所述互连结构的顶层金属层，在所述半导体衬底上形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层金属层和半导体衬底；

步骤S2：在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，图形化的所述光刻胶层在所述顶层金属层上方形成有开口；

步骤S3：固化处理所述光刻胶层；以及

步骤S4：以图形化的所述光刻胶层为掩模，在所述开口处刻蚀所述钝化层，以暴露出所述顶层金属层，并形成通孔，剩余的所述光刻胶层还覆盖所述开口外侧的所述钝化层。

可选的，步骤S3包括：

通过UV光固化处理所述光刻胶层。

进一步的，所述UV光固化工艺采用的UV光的波长为280nm～400nm。

进一步的，所述UV光固化工艺在90℃～150℃的温度下加热30～80秒。

进一步的，所述UV光固化工艺在110℃的温度下加热60秒。

可选的，步骤S2包括：

通过涂覆工艺在所述钝化层上形成光刻胶层；以及

通过光刻工艺形成图形化的所述光刻胶层，图形化的所述光刻胶层中形成有开口，所述开口位于所述顶层金属层的上方。

进一步的，所述光刻胶层的厚度不超过

可选的，所述钝化层由下至上依次包括HDP膜层、TEOS膜层、SRO膜层和氮化硅膜层。

可选的，所述钝化层由下至上依次包括TEOS膜层、HDP膜层、SRO膜层和氮化硅膜层。

可选的，所述顶层金属层的厚度大于3μm。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：