[发明专利]一种侧墙结构及闪存器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310321929.3 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116206965A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种侧墙结构及闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明所提供的闪存器件的制造方法中，其形成ONO侧墙结构时，是利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的所述第一氧化物层，并进一步地对所述第一氧化物层进行RTO退火工艺，以通过所述RTO退火工艺提供的能量修复所述第一氧化物层的缺陷，从而利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的第一氧化物层之后，再次提高所述第一氧化物层的致密性及绝缘性，进而在保证形成的侧墙结构的膜厚和热度均不变的情况下，最终避免了存储结构内的电子通过位于其侧壁上的ONO侧墙结构中的第一氧化物层遂层穿至外部所造成的器件漏电的问题，即保证了闪存器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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