[发明专利]一种闪存器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310320150.X | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116403891A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明提供的制备方法在利用炉管工艺形成闪存器件的浮栅材料层之后，增加了一步根据不同产品的膜层厚度设计要求刻蚀所述浮栅材料层，以动态调整刻蚀后形成的浮栅尖端的高度的步骤，进而实现了浮栅多晶硅厚度的均匀性控制，避免了炉管不同位置带来浮栅多晶硅厚度的偏差，即有效的控制了最终形成的浮栅尖端的高度。进一步的，由于本发明所提供的制备方法增加了动态浮栅多晶硅厚度的调节步骤，因此其还可以实现不同浮栅厚度要求产品共用相同多晶硅程式，以提升浮栅多晶硅炉管生产效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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