[发明专利]一种平面型碳化硅场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 202310288748.5 | 申请日： | 2023-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116031304A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;刘进 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种平面型碳化硅场效应管及其制造方法，所述场效应管包括元胞结构，所述元胞结构包括：碳化硅衬底；外延层，所述外延层连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述外延层内设有PWELL阱层；所述PWELL阱层内设有N+注入区以及金属硅化物层；所述金属硅化物层连接至所述N+注入区；栅极氧化层，所述栅极氧化层连接所述外延层、PWELL阱区以及N+注入区；栅极导电层，所述栅极导电层连接至所述栅极氧化层，且所述栅极导电层位于所述N+注入区上方；源极导电层，所述源极导电层连接至所述金属硅化物层；及漏极导电层，所述漏极导电层连接至所述碳化硅衬底下侧面，无需留出P+注入区，能在现有平面栅的工艺上缩小器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 碳化硅 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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