[发明专利]一种通过选择性外延改善器件性能的方法在审
| 申请号： | 202310274953.6 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116190239A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过选择性外延改善器件性能的方法，提供硅基底，硅基底上设有相互间隔的栅极结构；在栅极结构之间的源漏区形成凹槽；在凹槽内生长籽晶层；在籽晶层中注入硼原子以提高籽晶层中硼的浓度，注入硼原子后的籽晶层形成第一缓冲层；在凹槽内的第一缓冲层上形成外延体层；在外延体层上形成帽层。本发明采用离子注入辅助生长外延层的方法，使得外延层中硼的浓度能够大大提高，可以极大满足器件需求，提高PMOS的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 选择性 外延 改善 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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