[发明专利]一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法在审
申请号: | 202310267427.7 | 申请日: | 2023-03-15 |
公开(公告)号: | CN116536621A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 张晓强;查希·穆罕默德;姜芸青;张悦;赵巍胜 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/35;C23C14/28;G02B5/18 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 汪贵艳 |
地址: | 230013 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法,包括:在衬底上沉积铁磁材料形成铁磁层,在铁磁层上覆盖掩模版A的阳版并沉积第一类重金属材料,取下掩模版A的阳版,放上掩模版A的阴版并沉积第一类重金属材料,取下掩模版A的阴版,放置掩模版B阳版并沉积第二类重金属材料,取下掩模版B的阳版,放上掩模版B的阴版并沉积第二类重金属材料,制得自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器。本发明使用四类掩模版并采用多次沉积方式制备上述自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器,制备的太赫兹发射器具有太赫兹产生效率高,加工方便等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 模版 法制 自旋 赫兹 菲涅尔 波带片 发射器 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院),未经北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310267427.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类