[发明专利]一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法在审
| 申请号： | 202310267427.7 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116536621A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓强;查希·穆罕默德;姜芸青;张悦;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/35;C23C14/28;G02B5/18 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 汪贵艳 |
| 地址： | 230013 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 模版 法制 自旋 赫兹 菲涅尔 波带片 发射器 方法 | ||
1.一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1在清洁后的衬底上沉积铁磁材料形成铁磁层，
S2在铁磁层上覆盖掩模版A的阳版；
S3在掩模版A的阳版上沉积第一类重金属材料，
S4取下掩模版A的阳版，并将掩模版A的阴版置于S3制备的样品上，其中掩模版A的阴版位置同S2中放置掩模版A的阳版位置严格对齐；
S5在掩模版A的阴版上沉积第一类重金属材料；
S6取下掩模版A的阴版，并将掩模版B的阳版置于S5制备的样品上，其中掩模版B的阳版的位置同S4中放置掩模版A的阴版位置严格对齐；
S7在掩模版B的阳版上沉积第二类重金属材料；
S8取下掩模版B的阳版，并将掩模版B的阴版置于S7制备的样品上，其中掩模版B的阴版位置同S6中放置掩模版B的阳版位置严格对齐；
S9在掩模版B的阴版上沉积第二类重金属材料，制得自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S1中衬底包括二氧化硅、硅、有机玻璃；所述沉积的方法指磁控溅射或激光脉冲；
铁磁材料包括钴铁硼、钴，其厚度为2nm-4nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S3中第一类重金属材料为钨或铂，其沉积厚度为2nm-4nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S5中沉积第一类重金属材料的厚度为2nm-4nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S7中第二类重金属材料为铂或钨，其沉积厚度为2nm-4nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S9中第二类重金属材料沉积厚度为2nm-4nm。
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