[发明专利]一种抗膨胀硅基负极极片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310253480.1 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116314588A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何欢;李阳兴;朱朋辉 | 申请（专利权）人： | 安徽得壹能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525;H01M4/36;H01M4/62;H01M4/38 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗膨胀硅基负极及其制备方法，自内向外包括箔片、附着于箔片两侧的补锂层、附着于补锂层外侧的硅基活性材料层、附着于硅基活性材料层外侧的无定型碳层以及最外侧的石墨层；所述箔片为多孔箔片，补锂层将多孔箔片的孔填充；无定型碳层的厚度为20～100μm，无定型层的面密度为硅系负极涂层面密度的0.2～5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膨胀 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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