[发明专利]一种抗膨胀硅基负极极片及其制备方法在审
申请号: | 202310253480.1 | 申请日: | 2023-03-13 |
公开(公告)号: | CN116314588A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 何欢;李阳兴;朱朋辉 | 申请(专利权)人: | 安徽得壹能源科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/13 | 分类号: | H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525;H01M4/36;H01M4/62;H01M4/38 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张晓鹏 |
地址: | 241002 安徽省芜湖市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 膨胀 负极 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗膨胀硅基负极,其特征在于:自内向外包括箔片、附着于箔片两侧的补锂层、附着于补锂层外侧的硅基活性材料层、附着于硅基活性材料层外侧的无定型碳层以及最外侧的石墨层;
所述箔片为多孔箔片,补锂层将多孔箔片的孔填充;
无定型碳层的厚度为20~100μm。
2.根据权利要求1所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:所述无定型碳层中的无定型碳选自软碳、硬碳或中间相碳微球;
优选的,无定型碳层的面密度为硅系负极涂层面密度的0.2~5倍。
3.根据权利要求2所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:无定型碳层中包括无定型碳、导电剂和粘结剂,无定型碳、导电剂和粘结剂的质量比为85~98:1~6:1~10。
4.根据权利要求1所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:石墨层中,石墨、导电剂和粘结剂的质量比为85~98:1~6:0.8~5。
5.根据权利要求3或4所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:所述导电剂选自Super P、SFG、科琴黑、VGCF、CNTs、石墨烯中的一种或其组合。
6.根据权利要求3或4所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:所述粘结剂选自丁苯橡胶、聚丙烯酸、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸酯、羧甲基纤维素钠或聚偏二氟乙烯的一种或其组合;
优选的,箔片厚度为8~20μm;硅基活性材料层厚度为30~120μm;石墨层厚度为40~150μm。
7.根据权利要求1所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:补锂层中金属锂粉、导电剂和粘结剂的质量比为94~98:1~3:1~4;所述导电剂为软颗粒导电剂。
8.根据权利要求7所述的抗膨胀硅基负极,其特征在于:所述软颗粒导电剂为导电剂KS-6或KS-15。
9.一种抗膨胀硅基负极的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
取硅基活性材料极片,其自内向外包括多孔箔片、附着于箔片两侧的补锂层和附着于补锂层外侧的硅基活性材料层;
将无定型碳、导电剂和粘结剂按质量比为85~98:1~6:1~10混合后的浆液均匀双面涂覆于硅基活性材料极片上,得无定型碳层;
将石墨、导电剂和粘结剂按质量比为85~98:1~6:0.8~5混合后均匀涂覆于无定型碳层上,得到石墨层;
将获得的负极极片烘干后辊压,即得。
10.根据权利要求9所述的抗膨胀硅基负极的制备方法,其特征在于:硅基活性材料层至的活性材料为氧化亚硅或Si/C。
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