[发明专利]等离子体浸没式注入腔室及提高等离子体分布均匀性方法在审
| 申请号： | 202310232684.7 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116259520A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王兴;周临震 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/147;H01L21/265;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 殷星 |
| 地址： | 224051*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体等离子体注入技术领域，尤其是一种等离子体浸没式注入腔室及提高等离子体分布均匀性方法，射频电源、进气口、出气口、下基板、负偏压电源、直流线圈；进气口位于腔室上部，出气口位于腔室下部，下基板位于腔室内，外接负偏压电源，腔室内顶部为射频线圈，外接射频电源，腔室侧部为直流线圈，使用时需要抽真空，注入等离子体气体，然后开启射频电源，调节电容，使射频功率的反射功率最小，最后开启直流线圈的电源，给腔室内部提供一个横向磁场，开启偏压电源。本发明在腔室内侧加入直流线圈，电源给直流线圈通入直流电流，在腔室内部产生横向磁场，使腔室内部带电粒子在横向磁场的作用下向四周扩散，提升等离子体分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 浸没 注入 提高 分布 均匀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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