[发明专利]一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法有效
| 申请号： | 202310225035.4 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115928201B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赖占平;王增华;程红娟;王英民;郝建民;张丽;殷利迎;史月增 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法。在采用的高温炉中没有设置双加热器热场条件下，采取在高温炉中垂直放置圆形加热器，同轴放置钨坩埚和圆形钨套筒，圆形钨套筒和钨坩埚的底部与圆形加热器垂直方向的中部在同一水平面上；圆形钨套筒分为薄壁区域和厚壁区域。通过在钨坩埚的外侧嵌套具有特定外形的钨套筒，利用金属钨高热导和高比热容的特点来实现高实现温度分布模式的精确重构，最终满足氮化铝单晶生长对温度分布的要求。采用本发明有效避免常规方法所引入的高温炉温度分布模式设计难度大、单晶生长工艺复杂度的显著提升、设备成本、维护成本显著提升等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 实现 氮化 铝单晶 生长 温度 分布 方法 | ||
【主权项】：
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